Materiais non convencionais/especiais
Paquetes de aliaxe de aluminio

DESCRICIÓN CURTA:
As vantaxes da aliaxe de aluminio son o seu peso lixeiro, a súa robustez e a facilidade coa que se pode moldear.Como tal, úsase amplamente na fabricación de envases electrónicos.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:
Alta condutividade térmica
•Baixa densidade
•Pódese realizar unha boa chapabilidade e traballabilidade, corte de arame, moenda e dourado superficial.
MODELO | COEFICIENTE DE EXPANSIÓN TÉRMICA/×10-6/K | CONDUTIVIDADE TÉRMICA/W·(m·K)-1 | A DENSIDADE DE/g·cm-3 |
A1 6061 | 22.6 | 210 | 2.7 |
A1 4047 | 21.6 | 193 | 2.6 |
Paquetes de aluminio silicio metal

DESCRICIÓN CURTA:
As aliaxes Si/Al para envases electrónicos refírense principalmente a materiais de aliaxe eutéctica cun contido de silicio do 11% ao 70%.A súa densidade é baixa, o coeficiente de expansión térmica pódese combinar co chip e o substrato e a súa capacidade para disipar a calor é excelente.O seu rendemento de mecanizado tamén é ideal.Como resultado, as aliaxes Si/Al teñen un enorme potencial na industria de envases electrónicos.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:
•A rápida disipación de calor e a alta condutividade térmica poden resolver os problemas de disipación de calor inherentes ao desenvolvemento de dispositivos de alta potencia.
•O coeficiente de expansión térmica é controlable, o que permite coincidir co do chip, evitando un exceso de tensión térmica que pode provocar fallos no dispositivo.
•Baixa densidade
Designación de aliaxe CE | Composición da aliaxe | CTE, ppm/℃, 25-100 ℃ | Densidade, g/cm3 | Condutividade térmica a 25 ℃ W/mK | Resistencia á flexión, MPa | Resistencia de rendemento, MPa | Módulo elástico, GPa |
CE20 | Al-12% Si | 20 | 2.7 | ||||
CE17 | Al-27% Si | 16 | 2.6 | 177 | 210 | 183 | 92 |
CE17M | Al-27% Si* | 16 | 2.6 | 147 | 92 | ||
CE13 | Al-42% Si | 12.8 | 2,55 | 160 | 213 | 155 | 107 |
CE11 | Si-50% Al | 11 | 2.5 | 149 | 172 | 125 | 121 |
CE9 | Si-40% Al | 9 | 2.45 | 129 | 140 | 134 | 124 |
CE7 | Si-30% Al | 7.4 | 2.4 | 120 | 143 | 100 | 129 |
Diamante/Cobre, Diamante/Aluminio

DESCRICIÓN CURTA:
Diamante/Cobre e Diamante/Aluminio son materiais compostos con diamante como fase de reforzo e cobre ou aluminio como material matriz.Estes son materiais de envasado electrónico moi competitivos e prometedores.Tanto para a carcasa metálica de diamante/cobre como para a carcasa metálica de diamante/aluminio, a condutividade térmica da área do chip é ≥500W/(m•K) -1, satisfacendo os requisitos de rendemento de alta disipación de calor do circuíto.Coa continua expansión da investigación, este tipo de vivendas xogarán un papel cada vez máis importante no ámbito dos envases electrónicos.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:
•Alta condutividade térmica
•O coeficiente de expansión térmica (CTE) pódese controlar cambiando a fracción de masa dos materiais de diamante e Cu
•Baixa densidade
•Pódese levar a cabo unha boa placabilidade e traballabilidade, corte de arame, moenda e dourado superficial
MODELO | COEFICIENTE DE EXPANSIÓN TÉRMICA/×10-4/K | CONDUTIVIDADE TÉRMICA/W·(m·K)-1 | A DENSIDADE DE/g·cm-3 |
DIAMANTE 60% - COBRE 40% | 4 | 600 | 4.6 |
DIAMANTE 40% - COBRE 60% | 6 | 550 | 5.1 |
ALUMINIO DIAMANTE | 7 | > 450 | 3.2 |
substrato AlN

DESCRICIÓN CURTA:
A cerámica de nitruro de aluminio é un material cerámico técnico.Ten excelentes propiedades térmicas, mecánicas e eléctricas, como unha alta condutividade eléctrica, unha pequena constante dieléctrica relativa, un coeficiente de expansión lineal que coincide co silicio, un excelente illamento eléctrico e unha baixa densidade.Non é tóxico e forte.Co desenvolvemento xeneralizado dos dispositivos microelectrónicos, a cerámica de nitruro de aluminio como material base ou para a carcasa do paquete, fíxose cada vez máis popular.É un prometedor substrato de circuíto integrado de alta potencia e material de embalaxe.
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:
•Alta condutividade térmica (uns 270 W/m•K), próxima ao BeO e SiC, e máis de 5 veces a do Al2O3
•O coeficiente de expansión térmica coincide con Si e GaAs
•Excelentes propiedades eléctricas (constante dieléctrica relativamente pequena, perda dieléctrica, resistividade de volume, rigidez dieléctrica)
•Alta resistencia mecánica e rendemento ideal de mecanizado
•Características ópticas e de microondas ideais
•Non tóxico